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硅光子技术仍面临以下两大问题

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硅光子技术仍面临以下两大问题

1、芯片良率低,成本优势不明显:目前,传统三五族半导体芯片的良率在90%以上,而硅光芯片需要将III-V族半导体键合在硅基衬底上。由于硅光集成的工艺尚未成熟,在激光耦合等步骤上的良率较低,导致硅光模块成本难以进一步提升。
2、硅波导与光纤的耦合效率低,性能优势不明显。硅基光波导的尺寸在0.4—0.5μm量级,远小于单模光纤尺寸(纤芯直径约8μm—10μm)。尺寸上的差别将导致模场的失配,需要利用硅基波导光栅进行耦合,在耦合过程中将产生损耗。

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