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长江存储是如何实现的呢?

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长江存储是如何实现的呢?

据长江存储CEO杨士宁博士介绍,Xtacking,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。

官方称,传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度(长江的64层密度仅比竞品96层低10~20%)。
在NAND获取到更高的I/O接口速度及更多的操作功能的同时,产品开发时间可缩短三个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。
长江存储称,已成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产,现场给出的最高工艺节点是14nm。

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